Модули IGBT, Мелитополь

IGBT, БТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

По своей внутренней структуре IGBT представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Управляющий электрод называется затвором как у ПТ, два других электрода — эмиттером и коллектором как у биполярного. Такое составное включение ПТ и БТ позволяет сочетать в одном устройстве достоинства обоих типов полупроводниковых приборов.

Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.

Модуль IGBT FF300R12KS4

Краткие характеристики модуля IGBT FF300R12KS4:

Модуль IGBT FF300R12KS4

Ток коллектора: 370А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 300 А

Vкэ откр.: 3.20В @ 25°C В

Производитель: Infineon Technologies AG, Германия

Наличие: под заказ

Модуль IGBT SK50GH12T4T

Краткие характеристики модуля IGBT SK50GH12T4T:

Модуль IGBT SK50GH12T4T Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 75А @ 25°C А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 13.30мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITOP 4

Rth(j-c) (per IGBT): 0.65 K/W

Цепь: GH

Датчик температуры: Да

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ

Модуль IGBT SKM100GB125DN

Краткие характеристики модуля IGBT SKM100GB125DN:

Модуль IGBT SKM100GB125DNСемейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 100А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 75 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В
(//www.ukrboard.com.ua)
(Eon+Eoff): 12.50мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.18 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ

Модуль IGBT SKM200GB125D

Краткие характеристики модуля IGBT SKM200GB125D:

Модуль IGBT SKM200GB125DСемейство: SEMiTRANS

Технология: Ultrafast

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 200А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 150 А

Vкэ откр.: 3.30В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 14.00мДж @ 125°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.09 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ

Модуль IGBT SKM200GB12E4

Краткие характеристики модуля IGBT SKM200GB12E4:

Модуль IGBT SKM200GB12E4Семейство: SEMiTRANS

Технология: IGBT 4

Напряжение коллектор-эмитер: 1200 В

Ток коллектора: 314А @ 25°C А

Номинальный ток коллектора: 200 А

Vкэ откр.: 1.80В @ 25°C В

(Eon+Eoff): 48.00мДж @ 150°C

Тип корпуса: SEMITRANS3

Rth(j-c) (per IGBT): 0.14 K/W

Цепь: GB

Производитель: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co., Германия

Наличие: под заказ